دانلود ترجمه یک تنظیم کننده ولتاژ CMOS برای آی سی های غیرفعال تگ های RFID

A CMOS voltage regulator for passive RFID tag ICs

SUMMARY

A low-power voltage regulator for passive RFID tag ICs is proposed in this paper. It consists of a self-biased mutually compensated voltage reference, a low dropout (LDO) voltage regulation circuit and a power-on-reset (POR) circuit. It is fabricated in a commercial 0.18−µm CMOS technology and applied to a passive UHF RFID tag IC. The total quiescent current is 700 nA under a 1.8-V supply. The output voltage of the regulator is 1.45 V with load capability of 50 µA. The temperature coefficients of the voltage reference and the output voltage are only 9 and 43 ppm/^∘C, respectively. A POR signal with width pulse of 150 ns is generated for the digital part in the tag IC. Copyright © 2010 John Wiley & Sons, Ltd.

دانلود ترجمه مقاله یک تنظیم کننده ی افت پایین به همراه ترانزیستور های آیینه جریان متقاطع دوتایی

 

Low-dropout regulator with dual cross-coupled current mirrors

Summary

A low-dropout regulator (LDO) based on dual cross-coupled current mirrors is reported in this paper. The proposed dual cross-coupled current mirrors boost output signal current such that the loop gain of LDO is significantly enhanced, and the error amplifier in LDO retains single-pole property within the loop bandwidth of LDO. Designed in a 65-nm CMOS process and operating at a minimum of 1-V supply, the proposed LDO provides a 0.8-V output and delivers a maximum of 50 mA. The figure-of-merit of the proposed LDO is 8.9 ps.

ترجمه مقاله الگوریتم ملخ Grasshopper Optimisation Algorithm Theory and application

در این فایل ترجمه بخش اصلی یکی از جدیدترین الگوریتم های فراابتکاری بهینه یابی یعنی Grasshopper Optimisation Algorithm Theory and application ارائه شده است. فایل مذکور شامل 17 صفحه با فرمت pdf بوده و مقاله اصلی نیز پیوست شده است.

شبیه سازی مونت کارلو و کرنر چیست؟

امروزه پیشرفت تکنولوژی مدارات مجتمع، بخش عظیمی از صنعت جهانی را متحول نموده است. هر مدار مجتمع قبل از ساخت و صرف هزینه بایستی از جنبه های مختلف بررسی و شبیه سازی گردد. هنگام ساخت هر مداری به دلیل غیردقیق بودن فرایندهایی چون: لیتوگرافی، بمباران یونی و نفوذ، مقادیر و مشخصات المان های مدار از مقدار دقیق خود انحراف خواهند داشت. لذا بایستی تاثیرات ناشی از این انحرافات بر روی عملکرد مدار با دقت مورد بررسی واقع شود. این بررسی ها به کمک تحلیل های Process corners و Monte Carlo صورت می گیرد.

دانلود پایان نامه نیروگاه های خورشیدی در ایران و خارج از ایران

پایان نامه نیروگاه های خورشیدی در ایران و خارج از ایران